国家标准《 碳化硅外延片》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准委。
主要起草单位南京国盛电子有限公司、广东天域半导体股份有限公司、上海天岳半导体材料有限公司、北京天科合达半导体股份有限公司、瀚天天成电子科技（厦门）股份有限公司、ＴＣＬ环鑫半导体（天津）有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、南京盛鑫半导体材料有限公司、山西烁科晶体有限公司、河北普兴电子科技股份有限公司、安徽长飞先进半导体有限公司、中电化合物半导体有限公司、上海合晶硅材料股份有限公司、江苏华兴激光科技有限公司、杭州乾晶半导体有限公司、湖南三安半导体有限责任公司、浙江晶睿电子科技有限公司、宁波合盛新材料有限公司、沈阳星光技术陶瓷有限公司、深圳基本半导体有限公司、海迪科（南通）光电科技有限公司、哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司、连科半导体有限公司。
主要起草人李国鹏 、仇光寅 、刘勇 、骆红 、李素青 、丁雄杰 、舒天宇 、佘宗静 、冯淦 、杨玉聪 、王银海 、侯晓蕊 、薛宏伟 、刘红超 、金向军 、尚海波 、刘薇 、王岩 、徐所成 、李毕庆 、陈浩 、袁肇耿 、周勋 、刘长春 、汪之涵 、黄勤金 、赵丽丽 、胡动力 、和巍巍 。
目录标准状态发布于 2024-04-25实施于 2024-11-01废止 当前标准GB/T 43885-2024现行
碳化硅外延片 基础信息标准号GB/T 43885-2024发布日期2024-04-25实施日期2024-11-01标准类别产品中国标准分类号H83国际标准分类号 29.04529 电气工程 29.045 半导体材料 归口单位全国半导体设备和材料标准化技术委员会执行单位全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会主管部门国家标准委起草单位南京国盛电子有限公司上海天岳半导体材料有限公司瀚天天成电子科技（厦门）股份有限公司有色金属技术经济研究院有限责任公司山西烁科晶体有限公司安徽长飞先进半导体有限公司上海合晶硅材料股份有限公司杭州乾晶半导体有限公司浙江晶睿电子科技有限公司沈阳星光技术陶瓷有限公司海迪科（南通）光电科技有限公司连科半导体有限公司 广东天域半导体股份有限公司 北京天科合达半导体股份有限公司 ＴＣＬ环鑫半导体（天津）有限公司 南京盛鑫半导体材料有限公司 河北普兴电子科技股份有限公司 中电化合物半导体有限公司 江苏华兴激光科技有限公司 湖南三安半导体有限责任公司 宁波合盛新材料有限公司 深圳基本半导体有限公司 哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司 起草人李国鹏 仇光寅 李素青 丁雄杰 冯淦 杨玉聪 薛宏伟 刘红超 刘薇 王岩 陈浩 袁肇耿 汪之涵 黄勤金 和巍巍 刘勇骆红舒天宇佘宗静王银海侯晓蕊金向军尚海波徐所成李毕庆周勋刘长春赵丽丽胡动力相近标准(计划)20243061-T-469 300 mm硅外延片GB/T 42902-2023 碳化硅外延片表面缺陷的测试激光散射法GB/T 14139-2019 硅外延片GB/T 14015-1992 硅-蓝宝石外延片GB/T 43493.1-2023 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第1部分：缺陷分类SJ/T 11470-2014 发光二极管外延片GB/T 44334-2024 埋层硅外延片SJ/T 11471-2014 发光二极管外延片测试方法GB/T 35310-2017 200mm硅外延片GB/T 43493.2-2023 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第2部分：缺陷的光学检测方法